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新思科技宣布，与台积电(2330)合作，在台积电最先进的N2制程中提供数位与客制化设计EDA流程。相较于N3E制程，台积电N2制程采用奈米片(nanosheet)电晶体结构，在相同功耗下可提升速度达15% ，或在相同速度下可减少30%的功率，同时还能提高晶片密度。新思科技对整体 EDA技术的大量投入让设计人员能够快速启动N2制程设计，不仅为SoC(客制化晶片)带来差异化同时也能缩短上市时程。
台积电设计基础架构管理部负责人Dan Kochpatcharin表示，台积电与新思科技协助双方客户在台积电最先进的N2制程中透过新思科技完整的EDA解决方案，实现一流的设计结果。双方长期的合作帮助创新者在各式应用中满足或超越最严苛的产品设计目标；这些应用包括高效能运算、行动和人工智慧等。
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新思科技EDA事业群策略与产品管理副总裁Sanjay Bali说，新思和台积电持续推进半导体技术，在最新的N2制程上挑战设计物理的极限。在台积公司N2制程中运用新思科技数位与客制化设计流程能让设计人员大大受益于台积公司N2制程的先进功能，并缩短上市时程。
新思科技获认证的EDA和IP解决方案在台积电3奈米制程技术的成功，建立了双方在N2上的合作基础，迄今已有数十家业界领先公司借此成功实现投片(tape-out)。新思科技的客户可仰赖经认证的数位与客制化设计流程、新思科技基础IP和介面 IP以及新思科技晶片生命周期管理(SLM)的晶片内(in-chip)制程、电压和温度(PVT)监控IP来提升N3设计。
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